菠菜稳定平台论坛柬埔寨网上博彩合法吗_科学家告捷龙套:工业级2D半导体出身!
半导体行业正面对着擢升野心智力、减小芯片尺寸和镌汰功耗的三重挑战。为了称心这些需求,科学家们必须卓绝传统硅材料,寻找稳妥不断增长的野心需求的材料。
尽管在不久的将来,咱们不太可能齐备毁灭硅,但本领领域需要在芯片材料和架构上进行改换,以分娩稳妥日益增长的野心需求的设备。
硅的一个主要收尾是其三维性质,它收尾了芯片的尺寸和功耗。为了龙套这个收尾,科学家们一直在寻找二维半导体,即特别薄的材料,不错提供更精准的电流适度并减少动力徒然。
皇冠官方网址关连词,直到最近,制造这些材料都遭遇了穷困。某些二维半导体需要极高的温度才能制备,这可能会损坏底层的硅芯片。其他二维材料可能不错在硅友好的温度下制备,但它们的电子性能不及。还有一些适合温度和性能的条目,但无法在工业要领尺寸下滋长到饱和的纯度。
当今,宾夕法尼亚大学的商讨东谈主员还是告捷地将高性能的二维半导体发展成工业轨范的晶圆。况且,这种半导体材料硒化铟(InSe)不错在饱和低的温度下与硅芯片集成。
皇冠现金官网网站这项商讨是由电气与系统工程系(ESE)副教学兼Peter and Susanne Armstrong凸起学者Deep Jariwala和ESE博士后Seunguk Song同样的,该商讨最近发表在《Matter》杂志上。
www.kingjackpotzonezone.com这一龙套的要道在于若何克服InSe原子结构的复杂性。恒久以来,InSe被以为是先进野心芯片的有但愿的材料,因为它大概很好地传导电荷。但分娩饱和大面积的InSe薄膜一直是一项挑战,因为铟和硒的化学性质使它们倾向于以不同的分子比例吞并,从而损伤其纯度。
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商讨团队使用了一种称为“垂直金属有机化学气相千里积”(MOCVD)的滋长本领,以杀青高纯度的InSe。与往常的体式不同,该本领通过相连发送铟并脉冲引入硒,以确保元素比例保捏在精准的50:50。这种体式灵验地幸免了不良化学结构的变成。
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